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点击图片查看原图本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
6.PC软件界面：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、电阻率、压强等.
4.电流精度：±0.1%读数
标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
12. 样品高度量程和精度：高度测量范围：0.001-10.001mm，测量分辨率0.001mm
分辨率： 醉小1μΩ
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
范围本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
测量精度±（0.1%读数）
本标准适用于侧量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量材底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围，10-* n·cm～10' Ω·cm。
14.恒压时间：0-99.9S
测量误差±5%
9. 样品形状为正方形（镀金电极为5cm×5cm)，面积为25cm2（其他规格定制）
7.测试方式: 四探针测量（体电阻率）和四端法（接触电阻测量）
电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
2.电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm
规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，敷励根据本标准达成协议的各方研究是香可使用这些文件的服本。凡是不注日期的引用文件，其版本适用于本标准。
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
11. 加压方式：自动
5.电阻精度：≤0.3%
电阻测量范围：
电阻：1×10-5～2×105Ω
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
8.压力范围：0-1000kg（0-4MPa）.
电源：220±10% 50HZ/60HZ
显示方式：液晶显示
测量电压量程：?2mV? 20mV? 200mV?2V?
3.测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA
1.方块电阻范围：10-6～2×102Ω/□
国际标准分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
电导率：5×10-6～1×108ms/cm
13.温湿度范围：常温-50度；湿度：20%-98%
误差：±0.2%读数±2字
10.工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz? 功 耗：<30W
电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。
